下面的是基本技術(shù)參數(shù)：
這是去澳洲的機(jī)器，過AS4777，AS3100，如果用在國內(nèi)，需要連接電腦和并網(wǎng)逆變器通訊，軟件設(shè)置一下中國的電網(wǎng)參數(shù)即可。
下面的是機(jī)器的內(nèi)部照片，大家看看用料和做工就知道對得起這樣超值的價格了！這也是我們能將內(nèi)部拍照出來的原因！
首先是輸入部分：
輸入部分采用了單級工模輸入，由于此機(jī)器是3KW，輸入部分占的面積相對比較小，一個巨大的NCC的電解做了輸入，為
接下來的BOOST提供直流支撐。
輸入端子采用螺絲鎖緊的方式，我特別喜歡這種，可靠，便于生產(chǎn)裝配，這是大部分離網(wǎng)逆變器不會做的。
下面的是升壓的BOOST電感，與2個輸出AC的濾波電感一字排開，做的很扎實(shí)，安裝固定也考慮了運(yùn)輸?shù)囊蛩亍?
輸入的線上都套上了EMI抑制磁環(huán)，相信是為了能好一點(diǎn)的過輻射。
下面這個就是升壓的MOSFET，COOLMOSFET，英飛凌的，這個在很多電源里頭是做PFC的開關(guān)，用在這里做BOOST是再適合不過了。
采用2個MOSFET并聯(lián)的方式，估計是為了提升效率這么干的。
下面的是BOOST的二極管，用的IXYS的。
輸入端子采用螺絲鎖緊的方式，我特別喜歡這種，可靠，便于生產(chǎn)裝配，這是大部分離網(wǎng)逆變器不會做的。
下面的是升壓的BOOST電感，與2個輸出AC的濾波電感一字排開，做的很扎實(shí)，安裝固定也考慮了運(yùn)輸?shù)囊蛩亍?
輸入的線上都套上了EMI抑制磁環(huán)，相信是為了能好一點(diǎn)的過輻射。
下面這個就是升壓的MOSFET，COOLMOSFET，英飛凌的，這個在很多電源里頭是做PFC的開關(guān)，用在這里做BOOST是再適合不過了。
采用2個MOSFET并聯(lián)的方式，估計是為了提升效率這么干的。
下面的是BOOST的二極管，用的IXYS的。
這些管子的壓接方式很科學(xué)的，有些國外的產(chǎn)品的壓接也是這樣的，這種方式比單孔螺絲鎖緊更加可靠，因?yàn)閴航悠芫械膶毫Ψ植荚诠茏由厦妫⑶已b配工藝簡單多了。
底下白色的是導(dǎo)熱陶瓷片，這在一般的電源里頭非常少見，管子下面用了一種類似于電腦CPU的導(dǎo)熱材料，顏色有點(diǎn)象錫膏，不過肯定不是那類物質(zhì)。
在看看BOOST輸出大容量電解，這也是一張整機(jī)照片了：
采用了6個電解電容并聯(lián)做H橋的支撐，看來交流正弦波的100HZ的紋波得需要這么多這么多電容來做平衡，每個電容都是NCC的，太喜歡這些電容了。
再看看H橋，是用了IGBT
下面就是驅(qū)動了，經(jīng)典的TLPxxx，不過輸入側(cè)都是做了很可靠的設(shè)計。
整機(jī)用了一個霍爾傳感器，LEM的，和2個投切繼電器。
濾波部分用了這種電容，這可不是離網(wǎng)上用的那種CBB了。這種電容品質(zhì)大家一眼就能看出來。
最后經(jīng)過3級共模 EMI濾波到了輸出電網(wǎng)了。
下面的控制板非常小，2個巴掌大不到，雙CPU控制。
這些管子的壓接方式很科學(xué)的，有些國外的產(chǎn)品的壓接也是這樣的，這種方式比單孔螺絲鎖緊更加可靠，因?yàn)閴航悠芫械膶毫Ψ植荚诠茏由厦妫⑶已b配工藝簡單多了。
