SDH8666Q為內(nèi)置高壓功率MOSFET的可做40W多重模式控制器
士蘭微電子電源管理芯片SDH8666Q為內(nèi)置高壓功率MOSFET的可做40W多重模式控制器 SDH8666Q是用于開關(guān)電源的帶高壓啟動、內(nèi)置高壓功率MOSFET、外置采樣電阻的準(zhǔn)諧振電流模式 PWM+PFM控制器。 SDH8666Q 內(nèi)置高壓啟動恒流源，以實現(xiàn)高壓啟動。待機功耗低，小于40mW。具有多重模式控制：在重載下，高壓時工作在 QR 模式，可以 減小開關(guān)損耗，低壓時工作固定頻率（65KHz）的 CCM 模式。在中載和輕載下，工作在 QR+PFM 模式，可以提高轉(zhuǎn)換效率。在空載下，進入打嗝模式，有效地降低電路的待機功耗。 SDH8666Q 具有抖頻功能，以降低 EMI。具有峰值電流補償功能，在 不同的 AC 輸入電壓下能保持限輸出功率一致。還有軟啟動功能，在上電過程中減小器件應(yīng)力。 SDH8666Q內(nèi)部集成了各種異常狀態(tài)的保護功能，包括VCC過壓保護，輸出過載保護，輸出過壓保護，*消隱，逐周期峰值限流，輸出二管短路保護，AC 輸入電壓欠壓保護和過溫保護等。 應(yīng)用 ??開放式電源 ??適配器 ??機頂盒電源 SDH8666Q 是用于開關(guān)電源的帶高壓啟動、內(nèi)置高壓功率 MOSFET、外置采樣電阻的準(zhǔn)諧振電流模式 PWM+PFM控制器。內(nèi)置高壓啟動恒流源，有多重模式控制，具有抖頻、峰值電流補償、軟啟動功能，還集成各種異常狀態(tài)的保護功能。SDH8666Q 可減少外圍元件，增加效率和系統(tǒng)的可靠性，適用于反激式變換器。 1.高壓啟動 AC 上電后，SDH8666Q 從DRAIN端通過內(nèi)置高壓啟動恒流源對VCC端外接電容進行充電，充電電流為 3mA，VCC電壓開始上升；當(dāng)VCC電壓升到開啟電壓16V時，芯片開始工作，關(guān)斷高壓啟動恒流源，轉(zhuǎn)由輔助繞組供電。當(dāng)功率MOSFET關(guān)斷VCC電壓下降到關(guān)斷電壓8V時，控制電路整體關(guān)斷，電路消耗的電流變小。為減少保護狀態(tài)下電路重啟的次數(shù)和系統(tǒng)功耗，VCC繼續(xù)降低直到**鎖** 5V，再重新打開高壓啟動恒流源，對VCC端外接電容進行充電，芯片重新開始啟動過程。 2.多種控制模式 SDH8666Q 具有多重模式控制。在重載條件下（VFB>2.3V），系統(tǒng)會有兩種工作狀態(tài)，當(dāng)輸入電壓低時，工作CCM模式，此時為PWM控制，固定頻率 65KHz，當(dāng)輸入電壓高時，工作在DCM模式，此時工作在QR模式，可以減小開關(guān)損耗，較大頻率限制在80KHz。隨著負載降低，在中載和輕載條件下（1.7V3V），頻率隨FB電壓增加而升高，提高低壓的限輸出功率。 3.抖頻 SDH8666Q 采用抖頻控制來改善 EMI 性能，使得整個應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計會變得簡單。 4.峰值電流補償 SDH8666Q 通過檢測 DEM 管腳在開通時流出的電流判斷輸入電壓的高低，并將檢測到的電流轉(zhuǎn)換成峰值電流的補償量。另外低壓升頻功能可以有效提高低輸入電壓時的限輸出功率，保證不同交流電壓輸入時限輸出功率一致性。 5. 軟啟動 SDH8666Q 內(nèi)置4ms軟啟動時間，以限制功率MOSFET 的 DRAIN 端較大峰值電流，使其逐步提高，從而減小器件的應(yīng)力，防止變壓器飽和。 6.VCC 過壓保護 當(dāng)VCC電壓*過過壓保護點26V時，觸發(fā)VCC過壓保護，此時功率MOSFET關(guān)斷，系統(tǒng)將自動重啟。 7.輸出過載保護 當(dāng)輸出發(fā)生過載時，F(xiàn)B電壓會升高，當(dāng)升到FB過載保護點4.4V時，且再經(jīng)過過載保護延時75ms后，功率MOSFET關(guān)斷，VCC 電壓開始下降；當(dāng)VCC電壓降到關(guān)斷電壓8V時，電路停止工作，但為減少保護狀態(tài)下的電路重啟次數(shù)和功耗，VCC電壓繼續(xù)降低到**5V，再重新打開高壓啟動恒流源，電路重新啟動。 8.*消隱 SDH8666Q內(nèi)置的*消隱電路可以防止功率MOSFET開通時產(chǎn)生的電流尖刺造成的誤關(guān)斷，這樣外圍 RC濾波電路可以省去。在*消隱時間內(nèi)，脈寬調(diào)制比較器和峰值限流比較器是不工作的，而功率MOSFET在這段時間內(nèi)是保持導(dǎo)通狀態(tài)的，所以功率 MOSFET 開啟的較小時間就是*消隱的時間 TLEB。 9.逐周期峰值電流限制 在每一個周期，峰值電流值由比較器的比較點決定，該電流值不會*過峰值電流限流值，保證功率 MOSFET上的電流不會*過額定電流值。當(dāng)電流達到峰值電流以后，輸出功率就不能再變大，從而限制了較大的輸出功率。如果負載過重，會導(dǎo)致輸出電壓變低，反饋到FB端，導(dǎo)致FB電壓升高，發(fā)生輸出過載保護。 10.輸出二管短路保護 SDH8666Q通過檢測CS端實現(xiàn)輸出二管短路保護功能。由于輸出二管短路會導(dǎo)致原邊瞬間過流，當(dāng)電流采樣電阻上的CS電壓連續(xù)4個周期都大于1V時，就判定輸出二管短路。此時功率 MOSFET 關(guān)斷，且進入鎖定狀態(tài)。當(dāng)AC輸入電壓斷開，VCC 電壓下降至鎖** 5V 時，才能解除鎖定狀態(tài)；當(dāng) AC 輸入電壓重新上電后，系統(tǒng)將重新啟動。 11.AC 輸入電壓欠壓保護 在功率MOSFET導(dǎo)通時，輔助繞組電壓為負，DEM管腳鉗位為 0V。SDH8666Q 通過設(shè)定外部檢測電阻，檢測DEM管腳流出的電流。當(dāng)流出電流小于98?A時，且時間*過 Brown out 抗干擾時間時，進入AC輸入電壓欠壓保護狀態(tài)，功率MOSFET截止，系統(tǒng)將自動重啟。當(dāng)檢測到電流大于113?A時，則恢復(fù)正常工作。 12.可調(diào)節(jié)的輸出電壓過壓保護 SDH8666Q的DEM管腳在開關(guān)截止且副邊續(xù)流時期，作為輸出電壓檢測管腳。當(dāng)DEM管腳電壓*過OVP電壓閾值2.5V時，進入輸出電壓過壓保護狀態(tài)，功率MOSFET截止，系統(tǒng)將自動重啟。 13.過溫保護 當(dāng)溫度過高時，為了保護電路不會損壞，電路會觸發(fā)過溫保護，此時功率 MOSFET 關(guān)斷，且該狀態(tài)一直保持，直到冷卻后系統(tǒng)將自動重啟。
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