隨著人們生活節(jié)奏的加快，快充在充電領(lǐng)域中伴演著非常重要的角色。為了出門攜帶方便，充電器小型化是必然，提高充電器功率密度已成為重點(diǎn)研究課題。這樣就需要提高功率器件的開關(guān)頻率、使用新的半導(dǎo)體材料和生產(chǎn)工藝。比如華潤(rùn)微華晶超結(jié)mos管使用，使用GaN和SiC材料等。
在PD快充中，一般會(huì)用到三顆MOSFET,分別是初級(jí)高壓MOSFET、次級(jí)SR-MOSFET、VBUS-MOSFET，華潤(rùn)微超結(jié)MOS在PD快充上的應(yīng)用，有相應(yīng)具體型號(hào)與其相對(duì)應(yīng)。與同行相比，在EMI和效率上擁有出色的性能表現(xiàn)。
