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中山立訊電氣有限公司直銷Senstech韓國斯帕奇SCWW-1T SCWW-2T SCWW-3T SCWW-10T SCWW-20T SCWW-30T SCWW-50T因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域。

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中山立訊電氣有限公司直銷Senstech韓國斯帕奇輪輻式稱重傳感器: SCWH-500kgf SCWH-1tf SCWH-2tf SCWH-3tf SCWH-5tf SCWH-10tf SCWH-20tf
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中山立訊電氣有限公司直銷Senstech韓國斯帕奇SCWW-100tf SCWW-150tf SCWW-200tf SCMM-1kgf SCMM-2kgf SCMM-5kgf SCMM-10kgf SCMM-20kgf SCMM-50kgf SCMM-100kgf
中山立訊電氣有限公司直銷Senstech韓國斯帕奇SCMM2-1kgf SCMM2-2kgf SCMM2-5kgf SCMM2-10kgf SCMM2-20kgf SCMM2-50kgf SCMM2-100kgf SCMM2-200kgf SCM-50kgf
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中山立訊電氣有限公司直銷Senstech韓國斯帕奇微型(拉式)稱重傳感器: SUM-50kgf SUM-100kgf SUM-200kgf SUM-500kgf SUM-1tf SUM-2tf  雖然二值信號(hào)燈能夠?qū)崿F(xiàn)互斥鎖的功能，但兩者的關(guān)注內(nèi)容不同。信號(hào)燈強(qiáng)調(diào)共享資源，只要共享資源可用，其他進(jìn)程同樣可以修改信號(hào)燈的值；互斥鎖更強(qiáng)調(diào)進(jìn)程，占用資源的進(jìn)程使用完資源后，必須由進(jìn)程本身來解鎖。計(jì)數(shù)信號(hào)燈：信號(hào)燈的值可以取任意非負(fù)值（當(dāng)然受內(nèi)核本身的約束），用來統(tǒng)計(jì)資源，其值就代表可用資源的個(gè)數(shù)。技術(shù)要求1)交通信號(hào)燈系列產(chǎn)品及規(guī)格要求：熱鍍鋅框架式燈桿件符合國家標(biāo)準(zhǔn)。一體化信號(hào)燈，不允許采用包箍或支架連接，以保證美觀。2)道路交通信號(hào)燈必須符合GB14887-2003《道路交通信號(hào)燈技術(shù)要求及測試方法》的要求。具有部交通產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢測中心的檢測報(bào)告,檢測報(bào)告必須是近2年內(nèi)送檢且在有效期內(nèi),無有效期或超過建議檢測期的視為無效檢測報(bào)告。
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維修中需要注意一下幾點(diǎn)拆卸、調(diào)整儀表時(shí)，應(yīng)記錄原來的位置，以便復(fù)原。在潮濕環(huán)境下檢修無紙記錄儀故障時(shí)，對(duì)印刷線路用萬用表測其各點(diǎn)是否通暢很有必要，因?yàn)檫@種情況下的主要故障是銅箔腐蝕。用萬用表歐姆擋時(shí)，切記不要帶電測量。修理精密無紙記錄儀時(shí)，如不慎將小零件彈飛，可采取磁鐵掃描和視線掃描方法進(jìn)行尋找。檢測電源中的濾波電容時(shí)，應(yīng)先將電解電容器的正負(fù)極短路一下，而且短路時(shí)不要用表筆線來代替導(dǎo)線對(duì)電容器進(jìn)行放電，因?yàn)檫@樣容易燒斷芯線?？梢匀∫恢粠纛^引線的220V，60～100W的燈，接于電容器的兩端，在放電瞬間燈泡會(huì)閃光。檢修無紙記錄儀內(nèi)部電路時(shí)，如果安裝元件的接點(diǎn)和電路板上涂了絕緣清漆。

任丘市SANIL開關(guān)SBF-2,Amp,NPN,2m,任丘市SANIL開關(guān)SBF-2,Amp,NPN,2m,改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動(dòng)功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、工作區(qū)大等優(yōu)點(diǎn)。但是，功率場效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個(gè)極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。工作特點(diǎn)是，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同，控制信號(hào)為電壓信號(hào)Uge,輸入阻抗很高，柵極電流I≈0，故驅(qū)動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR相同。