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產品簡介

ASML 4022.481.43787

產品價格：￥

上架日期：2025-02-21 19:17:59

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詳細說明

ASML 4022.481.43787

：先進光刻技術的核心參數解析

在半導體制造領域，ASML作為光刻技術的領頭羊，其設備參數一直備受關注。ASML 4022.481.43787作為公司的一款重要產品，其參數不僅體現了當前光刻技術的前沿水平，也對半導體芯片的性能有著直接影響。

基本信息

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型號：ASML 4022.481.43787

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類型：極紫外（EUV）光刻機

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用途：用于7納米及以下工藝的芯片制造

核心技術參數

光源波長： - 波長：13.5納米（nm） - 光源：EUV光源，采用激光產生的等離子體作為光源，能夠實現極高的分辨率。

分辨率： - 最小特征尺寸：7納米（nm），可擴展至5納米（nm）及以下 - 套刻精度：小于1.5納米（nm），確保多層圖案的精確對齊

曝光系統(tǒng)： - 投影鏡頭：采用先進的折射式光學系統(tǒng)，具有高透過率和低畸變 - 曝光方式：步進掃描曝光，通過逐步移動硅片進行曝光，提高生產效率

生產效率： - 每小時晶圓處理量：大于125片/wafer - 產能利用率：支持24/7不間斷生產，具有高穩(wěn)定性和可靠性

掩模版技術： - 掩模版尺寸：標準尺寸為26mm x 33mm - 掩模版材料：采用EUV專用掩模版材料，具有高反射率和低吸收率

環(huán)境要求： - 潔凈室等級：ISO 14644-1 Class 1 - 溫度控制：±0.1°C - 濕度控制：±1%

其他關鍵參數

設備尺寸與重量： - 長 x 寬 x 高：約10米 x 5米 x 4米 - 重量：約180噸

電力需求： - 總功率：約1兆瓦（MW）

冷卻系統(tǒng)： - 冷卻水流量：約200升/分鐘 - 冷卻水溫度：15°C - 25°C

技術優(yōu)勢與應用

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高分辨率與套刻精度：能夠制造出更小、更高效的芯片，滿足高性能計算、移動通信等領域的需求。

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高效生產：每小時處理125片晶圓的能力，大大提高了生產線的產能和效率。

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嚴格的環(huán)境控制：確保設備能夠在穩(wěn)定的環(huán)境下運行，減少工藝波動，提高產品良率。

結語

ASML 4022.481.43787以其卓越的技術參數和穩(wěn)定的性能，在全球半導體制造行業(yè)中占據重要地位。其先進的光源技術、高分辨率與套刻精度、高效生產能力以及嚴格的環(huán)境控制要求，為半導體芯片的制造提供了堅實的保障。未來，隨著技術的不斷進步，ASML將繼續(xù)光刻技術的發(fā)展潮流，為半導體產業(yè)的繁榮作出更大貢獻。

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ASML 4022.481.43787

：先進光刻技術的核心參數解析

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核心技術參數

其他關鍵參數

技術優(yōu)勢與應用

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