MITSUBISHI QJ61BT11N主單元磁傳感技術(shù)有更大發(fā)展空間
磁阻傳感器的基本原理是由于磁場(chǎng)變化引起磁阻的阻值變化，進(jìn)而引起電壓變化來(lái)檢測(cè)磁場(chǎng)變化，具有可靠、耐用等很多特點(diǎn)。磁阻傳感器的發(fā)展趨勢(shì)一方面是精度更高，另一方面是集成度更高。磁阻以前被作為單獨(dú)的器件來(lái)使用，現(xiàn)在卻向集成的方向走。
TMR元件是近年來(lái)開始工業(yè)應(yīng)用的新型磁電阻效應(yīng)傳感器，MITSUBISHI QJ61BT11N主單元其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應(yīng)對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行感應(yīng)，比之前所發(fā)現(xiàn)并實(shí)際應(yīng)用的AMR元件和GMR元件具有更大的電阻變化率。作為GMR元件的下一代技術(shù)，TMR（MTJ）元件已完全取代GMR元件，被廣泛應(yīng)用于硬盤磁頭領(lǐng)域。相信TMR磁傳感技術(shù)將在工業(yè)、生物傳感、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)等領(lǐng)域有極大的發(fā)展與貢獻(xiàn)。
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