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　　· 無(wú)限的可擦寫次數(shù)。無(wú)可匹敵的讀取/寫入速度意味著FRAM MCU比傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器解決方案的擦寫循環(huán)次數(shù)多100億次以上 — 擦寫周期超過(guò)了產(chǎn)品生命周期本身。

　　· 靈活性。FRAM具有獨(dú)特能力，使開發(fā)人員擺脫代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器之間的傳統(tǒng)界限束縛。用戶無(wú)需再受限于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)閃存與RAM的比率或?yàn)樵黾拥腞AM需求支付額外費(fèi)用。

　　· 易用性。FRAM可簡(jiǎn)化代碼開發(fā)。由于FRAM無(wú)需預(yù)先擦除段，并可基于比特級(jí)被存取，使恒定的即時(shí)數(shù)據(jù)記錄成為可能。無(wú)線固件更新復(fù)雜程度降低，速度加快且能耗減少。

　　TI超低功耗FRAM MCU產(chǎn)品組合的特性與優(yōu)勢(shì)

　　· FRAM是唯一的非易失性嵌入式存儲(chǔ)器，可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入 — 比閃存快100倍以上。

　　· 借助引腳對(duì)引腳兼容性和可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合（由TI超低功耗MSP430? MCU FRAM產(chǎn)品平臺(tái)內(nèi)32KB至128KB的器件組成），使開發(fā)工作變得更輕松。

　　· 借助MSP430 FRAM和閃存組合之間的代碼和外設(shè)兼容性，利用MSP430Ware?來(lái)簡(jiǎn)化遷移。

　　· 可取代EEPROM，旨在設(shè)計(jì)出寫入速度更快、功耗更低且內(nèi)存可靠性更高的安全產(chǎn)品。

　　· 256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能確保數(shù)據(jù)傳輸。

　　· 適合開發(fā)人員使用的豐富資源包括詳細(xì)的遷移指南和應(yīng)用手冊(cè)，以簡(jiǎn)化從現(xiàn)有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的遷移。IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs（芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司， NASDAQ:SLAB）今天宣布針對(duì)需要高達(dá)1kV功能性隔離的成本敏感型消費(fèi)類電子應(yīng)用，推出一系列可提供最高通道數(shù)量、性能、可靠性和數(shù)據(jù)傳輸率的數(shù)字隔離器產(chǎn)品?；赟ilicon Labs專利的CMOS數(shù)字隔離技術(shù)，新型Si80xx系列產(chǎn)品成為光電耦合器的最佳替代產(chǎn)品，適用于洗衣機(jī)、烘干機(jī)、食品攪拌機(jī)、空氣清新器和其他家用電器，也包括需要功能性隔離的測(cè)試和測(cè)量設(shè)備。ABB  DSQC249A 3HAA3563-AGA
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