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HONEYWELL 51401246-200儲單元設(shè)計，一個元件面積僅有0.327μm2，另一個的元件面積為0.245μm 2——這是全球最小的水平。更小的存儲單元是利用減少處理尺寸裕量實現(xiàn)的。
HONEYWELL 51401246-200    這一技術(shù)進展的細節(jié)將在正在舊金山舉行的2007國際固態(tài)電路會議（ISSCC 2007）的第18分組會議的18.3論文時段進行宣講。該創(chuàng)新具有重大意義，因為SRAM是用于嵌入式控制應(yīng)用的SoC和MPU的十分重要的片上功能?；ハ嗝艿内厔菰谟?，這些應(yīng)用正變得更加復(fù)雜，需要更多的SRAM，正如半導(dǎo)體工藝的縮小使生產(chǎn)適當(dāng)設(shè)備功能所需的可穩(wěn)定工作的SRAM變得更加困難那樣。采用新的制造技術(shù)生產(chǎn)的45nm工藝SRAM將有助于以低成本實現(xiàn)高性能的芯片，因為它使用傳統(tǒng)CMOS而不是硅絕緣體（SOI）材料這一比較昂貴的方法。
解決了不可避免的柵極電壓變化所引起的問題
    隨著LSI制造工藝的不斷進步，進一步的小型化使晶廈門
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