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HONEYWELL 51401288-200相矛盾的趨勢(shì)在于，這些應(yīng)用正變得更加復(fù)雜，需要更多的SRAM，正如半導(dǎo)體工藝的縮小使生HONEYWELL 51401288-200產(chǎn)適當(dāng)設(shè)備功能所需的可穩(wěn)定工作的SRAM變得更加困難那樣。采用新的制造技術(shù)生產(chǎn)的45nm工藝SRAM將有助于以低成本實(shí)現(xiàn)高性能的芯片，因?yàn)樗褂脗鹘y(tǒng)CMOS而不是硅絕緣體（SOI）材料這一比較昂貴的方法。
解決了不可避免的柵極電壓變化所引起的問(wèn)題
    隨著LSI制造工藝的不斷進(jìn)步，進(jìn)一步的小型化使晶體管特性發(fā)生了更大的變化，尤其是柵極限電壓（Vth）＊2，它可能影響SRAM的工作。Vth的變化有兩種形式。全面的Vth變化會(huì)出現(xiàn)在逐芯片或逐晶圓的情況下，晶體管形狀會(huì)隨柵極長(zhǎng)度和柵極寬度不同等出現(xiàn)細(xì)微的差別。因此，它會(huì)在芯片中顯示出同方向的偏差。以前全面Vth的變化是SRAM設(shè)計(jì)人員不得不克服主要挑戰(zhàn)。
    相比之下，本機(jī)Vth變化是由半導(dǎo)體中的雜質(zhì)狀態(tài)的波動(dòng)引起的，甚至在同樣形狀的相鄰晶體管中也會(huì)
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