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HONEYWELL 51401469-100它會(huì)在芯片中顯示出同方向的偏差。以前全面Vth的變化是SRAM設(shè)計(jì)人員不得不克服主要挑HONEYWELL 51401469-100戰(zhàn)。
    相比之下，本機(jī)Vth變化是由半導(dǎo)體中的雜質(zhì)狀態(tài)的波動(dòng)引起的，甚至在同樣形狀的相鄰晶體管中也會(huì)出現(xiàn)。因此，它是隨機(jī)發(fā)生的且沒有方向性。隨著晶體管小型化的進(jìn)展，本機(jī)Vth變化的問題首先出現(xiàn)在90nm工藝中。這是采用45nm工藝的嵌入式SRAM應(yīng)用所必須面對的一個(gè)主要挑戰(zhàn)。
    半導(dǎo)體行業(yè)一直在積極推進(jìn)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定SRAM工作的技術(shù)進(jìn)步。不過，影響45nm工藝的Vth變化問題需要技術(shù)上的進(jìn)一步發(fā)展。瑞薩科技與松下共同開發(fā)了兩種元件，采用了6晶體管型SRAM存儲單元解決方案。一個(gè)是可對Vth變化進(jìn)行自動(dòng)調(diào)整的讀輔助電路。另一個(gè)是采用分層結(jié)
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