HONEYWELL 51404125-250形式。全面的Vth變化會出現(xiàn)在逐芯片或逐晶圓的情況下，晶體管形狀會隨柵極長度和柵極寬度HONEYWELL 51404125-250不同等出現(xiàn)細微的差別。因此，它會在芯片中顯示出同方向的偏差。以前全面Vth的變化是SRAM設(shè)計人員不得不克服主要挑戰(zhàn)。
相比之下，本機Vth變化是由半導體中的雜質(zhì)狀態(tài)的波動引起的，甚至在同樣形狀的相鄰晶體管中也會出現(xiàn)。因此，它是隨機發(fā)生的且沒有方向性。隨著晶體管小型化的進展，本機Vth變化的問題首先出現(xiàn)在90nm工藝中。這是采用45nm工藝的嵌入式SRAM應(yīng)用所必須面對的一個主要挑戰(zhàn)。
半導體行業(yè)一直在積極推進實現(xiàn)穩(wěn)定SRAM工作的技術(shù)進步。不過，影響45nm工藝的Vth變化問題需要技術(shù)上的進一步發(fā)展。瑞薩科技與松下共同開發(fā)了兩種元件，采用了6晶體管型SRAM存儲單元解決方案。一個是可對Vth變化進行自動調(diào)
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