HONEYWELL 51404126-250因此，即使在溫度增加和工藝變化條件下存儲(chǔ)單元電氣特性的對稱性降低的情況下，也可以保證各種工作條件下存儲(chǔ)單元讀操作的穩(wěn)定性。
HONEYWELL 51404126-250 新型寫輔助電路在存儲(chǔ)單元的柱式單元電源線中增加了更精細(xì)的電源線（劃分為8條），在某種意義上寫操作所需的隔離只在必要的地方執(zhí)行。而且，它可實(shí)現(xiàn)分層結(jié)構(gòu)的電源布線。這將減少關(guān)鍵區(qū)域的電源線電容，有助于在高速時(shí)將電源線電位降到低電位。實(shí)驗(yàn)芯片的測量表明，與沒有采用上述技術(shù)的SRAM設(shè)計(jì)相比，即使在最差壞條件（－40℃，最小工作電壓和最差工藝條件）下，新型寫輔助電路也可以顯著改善SRAM的寫速度。
新產(chǎn)品的尺寸為長14×寬8.6×高7mm。與以往產(chǎn)品的長20.2×寬11.2×高9.7mm相比，體積約為減少了6成多。
新產(chǎn)品的性能指標(biāo)如下：接觸電阻在AC10V、10mA、伏安法測定時(shí)為100mΩ以下。額定耗電量方面，單卷線閂鎖型和單穩(wěn)定型為200mW，
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