6ES7 214-1AD23-0XB8 |
6ES7 214-1BD23-0XB8 |
6ES7 214-1AD23-0XB8 |
6ES7 214-1BD23-0XB8 |
供電電壓 |
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24 V DC |
√ |
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允許范圍,下限(DC) |
20.4 V |
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允許范圍,上限(DC) |
28.8 V |
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120 V AC |
√ |
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230 V AC |
√ |
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電源頻率 |
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63 Hz |
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負(fù)載電壓L+ |
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24 V |
24 V |
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20.4 V |
5 V |
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28.8 V |
30 V |
負(fù)載電壓L1 |
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100 V; 100 - 230 VAC |
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5 V |
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250 V |
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47 Hz |
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63 Hz |
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輸入電流 |
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沖擊電流,最大 |
12 A; 28.8 V 時(shí) |
20 A; 264 V 時(shí) |
從電源L+,最大 |
700 mA; 110 - 700 mA, 擴(kuò)展模塊輸出電流 (DC 5V) 660 mA |
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從電源L1,最大 |
200mA; 30-100mA(240V); 60-200 mA(120V);擴(kuò)展模塊輸出電流(5V DC)600mA |
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編碼器電源 |
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24 V 編碼器電源 |
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√;允許范圍: 15.4 至 28.8 V |
√;允許范圍: 20.4 至 28.8 V |
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√;電子式,280 mA |
√;電子式,280 mA |
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280 mA |
280 mA |
后備電池 |
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電池操作 |
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100 h; (40 °C時(shí),最小70h); 200天(典型值) 帶電池模塊選件 |
100 h; (40 °C時(shí),最小70h); 200天(典型值) 帶電池模塊選件 |
存儲(chǔ)器 |
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存儲(chǔ)器模塊數(shù)量(選件) |
1; 可插入存儲(chǔ)器模塊,其內(nèi)容與內(nèi)置的EEPROM有區(qū)別,可另外存儲(chǔ)配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件 |
1; 可插入存儲(chǔ)器模塊,其內(nèi)容與內(nèi)置的EEPROM有區(qū)別,可另外存儲(chǔ)配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件 |
數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)器 |
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8 KB |
8 KB |
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12 KB;8 KB,有源運(yùn)行時(shí)編輯時(shí) |
12 KB;8 KB,有源運(yùn)行時(shí)編輯時(shí) |
后備 |
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有;程序: EEPROM 中的程序免維護(hù),可通過CPU編程;數(shù)據(jù): 通過PG/PC裝載到DB1中的整個(gè)程序可在EEPROM中免維護(hù),在RAM中的DB1數(shù)值、具有保持功能的存儲(chǔ)器位、定時(shí)器、計(jì)數(shù)器等通過高能量電容器進(jìn)行免維護(hù);電池選件用于長期后備 |
有;程序: EEPROM 中的程序免維護(hù),可通過CPU編程;數(shù)據(jù): 通過PG/PC裝載到DB1中的整個(gè)程序可在EEPROM中免維護(hù),在RAM中的DB1數(shù)值、具有保持功能的存儲(chǔ)器位、定時(shí)器、計(jì)數(shù)器等通過高能量電容器進(jìn)行免維護(hù);電池選件用于長期后備 |