氧化鎵半導(dǎo)體 氧化鎵單晶 氧化鎵摻雜 氧化鎵熔點 氧化鎵硬度 氧化鎵 12024-21-4
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英文名稱:Gallium(III)oxide
英文同義詞:Ga2-O3;Gallia;β-Ga2O3;Gallicoxide;GALLIUMOXIDE;ium(III)oxide;galliumtrioxide;GalliuM(Ⅵ)oxide;GallChemicalbookium(Ⅲ)oxide;Galliumtrioxide
中文名稱:氧化鎵
中文同義詞:氧化鎵;三氧化二鎵;氧化鎵(Ⅲ);氧化鎵25G;氧化鎵(III);氧化鎵三氧化二鎵;三氧化二鎵(III);氧化鎵,99.99 ;氧化鎵Α-GA2O3;氧化鎵Α-GA2O3
分子式：Ga2O3
氧化鎵分子量：187.44
氧化鎵Cas. 12024-21-4
外觀性狀：白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機(jī)酸。有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。
用途：用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導(dǎo)體材料制備。
包裝：編織袋包裝25、50/公斤、1000公斤/噸包，紙板桶包裝25、50公斤/桶。
近年來氧化鎵晶體生長技術(shù)的突破性進(jìn)展， 大地推動了相關(guān)的薄膜外延、日盲探測器、功率器件、高亮度紫外LED等器件的研究，是國際上超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點。
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