IGBT的主要參數(shù):集電極電流ICM:表征IGBT的電流容量,分為直流條件下的IC和1ms脈沖條件下的ICP。集電極-發(fā)射極電壓UCES:表征IGBT集電極-發(fā)射極的耐壓能力。目前IGBT耐壓等級有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。柵極-發(fā)射極擊穿電壓UGEM:表征IGBT柵極-發(fā)射極之間能承受的電壓,其值一般為±20V。柵極-發(fā)射極開啟電壓UGE(th):指IGBT器件在一定的集電極-發(fā)射極電壓UCE下,流過一定的集電極電流IC時的最小開柵電壓。當柵源電壓等于開啟電壓UGE(th)時,IGBT開始導通。輸入電容cIES:指IGBT在一定的集電極-發(fā)射極電壓UCE和柵極-發(fā)射極電壓UGE=0下,柵極-發(fā)射極之間的電容,表征柵極驅(qū)動瞬態(tài)電流特征。
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