產(chǎn)品參數(shù) | |||
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品牌 | 英飛凌infineon | ||
種類 | IGBT 模塊 | ||
批號 | 20+ | ||
制造商 | Infineon | ||
配置 | Dual | ||
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO | 1200 V | ||
集電極—射極飽和電壓 | 2.15 V | ||
在25 C的連續(xù)集電極電流 | 75 A | ||
柵極—射極漏泄電流 | 100 nA | ||
Pd-功率耗散 | 395 W | ||
最小工作溫度 | - 40 C | ||
最大工作溫度 | 150 C | ||
封裝 | Tray | ||
系列 | Trenchstop IGBT4 - T4 | ||
柵極/發(fā)射極最大電壓 | 20 V | ||
單位重量 | 160 g | ||
可售數(shù)量 | 999 | ||
616777930 | |||
微信 | bm7659 | ||
官網(wǎng) | http | //www.bami-power.com | |
可售賣地 | 全國 | ||
型號 | FF75R12RT4 |
英飛凌IGBT模塊,基本參數(shù)、型號FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模塊,產(chǎn)品型號齊全,IGBT模塊精工設(shè)計,內(nèi)在質(zhì)量優(yōu)良,外形美觀耐用,安裝操作方便,原廠正規(guī)授權(quán),正品保證。英飛凌IGBT模塊本公司長期備有大量現(xiàn)貨庫存,堅持以“品質(zhì)保證、現(xiàn)貨經(jīng)營、薄利多銷、服務(wù)至上”的經(jīng)營理念向客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。