制作工藝:2層聚乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。
優(yōu)點:有感,高頻特性好,體積較小
缺點:不適合做大容量,價格比較高,耐熱性能較差。
用途:耦合/震蕩,模擬/數(shù)字電路,電源濾波/退耦
無極性瓷片電容
制作工藝:薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。
優(yōu)點:體積小,耐壓高,價格低,頻率高(有一種是高頻電容)
缺點:易碎,容量低
無極性云母電容
制作工藝:云母片上鍍兩層金屬薄膜
優(yōu)點:容易生產(chǎn),技術(shù)含量低。
缺點:體積大,容量小用途:震蕩、諧振、退耦及要求不高的電路無極性獨石電容體積比CBB更小,其他同CBB,有感
用途:模擬/數(shù)字電路信號旁路/濾波,音響[2]
有極性電解電容
制作工藝:兩片鋁帶和兩層絕緣膜相互層疊,轉(zhuǎn)捆后浸在電解液中。
優(yōu)點:容量大。
缺點:高頻特性不好。
用途:低頻級間耦合、旁路、退耦、電源濾波、音響[2]
鉭電容
制作工藝:用金屬鉭作為正極,在電解質(zhì)外噴上金屬作為負極。
優(yōu)點:穩(wěn)定性好,容量大,高頻特性好。
缺點:造價高。
用途:高精度電源濾波、信號級間耦合、高頻電路、音響電路[2]
聚酯(滌綸)電容
符號:CL
電容量:40p--4u
額定電壓:63--630V
主要特點:小體積,大容量,耐熱耐濕,穩(wěn)定性差
應(yīng)用:對穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路[2]
聚苯乙烯電容
符號:CB
電容量:10p--1u
額定電壓:100V--30KV
主要特點:穩(wěn)定,低損耗,體積較大
應(yīng)用:對穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路[2]
聚丙烯電容
符號:CBB
電容量:1000p--10u
額定電壓:63--2000V
主要特點:性能與聚苯相似但體積小,穩(wěn)定性略差
應(yīng)用:代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路[2]
云母電容
符號:CY
電容量:10p--0。1u
額定電壓:100V--7kV
主要特點:高穩(wěn)定性,高可靠性,溫度系數(shù)小
應(yīng)用:高頻振蕩,脈沖等要求較高的電路[2]
高頻瓷介電容
符號:CC
電容量:1--6800p
額定電壓:63--500V
主要特點:高頻損耗小,穩(wěn)定性好
低頻瓷介電容
符號:CT
電容量:10p--4。7u
額定電壓:50V--100V
主要特點:體積小,價廉,損耗大,穩(wěn)定性差
玻璃釉電容
符號:CI
電容量:10p--0。1u
額定電壓:63--400V
主要特點:穩(wěn)定性較好,損耗小,耐高溫(200度)
鋁電解電容
符號:CD
電容量:0。47--10000u
額定電壓:6。3--450V
主要特點:體積小,容量大,損耗大,漏電大
應(yīng)用:電源濾波,低頻耦合,去耦,旁路等[2]
鉭電解電容(CA)、鈮電解電容(CN)
電容量:0。1--1000u
額定電壓:6。3--125V
主要特點:損耗、漏電小于鋁電解電容
應(yīng)用:在要求高的電路中代替鋁電解電容[2]
空氣介質(zhì)可變電容器
可變電容量:100--1500p
主要特點:損耗小,效率高;可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式 等
應(yīng)用:電子儀器,廣播電視設(shè)備等[2]
薄膜介質(zhì)可變電容器
可變電容量:15--550p
主要特點:體積小,重量輕;損耗比空氣介質(zhì)的大
薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器
符號: 可變電容量:1--29p
主要特點:損耗較大,體積小
應(yīng)用:收錄機,電子儀器等電路作電路補償[2]
陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器
符號: 可變電容量:0。3--22p
主要特點:損耗較小,體積較小
應(yīng)用:精密調(diào)諧的高頻振蕩回