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產(chǎn)品簡介
納米硅粉、鋰電池負極專用硅粉、高純硅粉、納米硅粉價格、微米硅粉、超細硅粉、si
納米硅粉、鋰電池負極專用硅粉、高純硅粉、納米硅粉價格、微米硅粉、超細硅粉、si
產(chǎn)品價格:
上架日期:2017-12-22 10:16:56
產(chǎn)地:本地
發(fā)貨地:本地至全國
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1千克
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詳細說明

    .納米硅粉鋰電池負極專用硅粉、高純硅粉、納米硅粉價格、微米硅粉、超細硅粉、si

    技術(shù)參數(shù)

    貨號

    平均粒徑(nm

    純度(%

    比表面積(m2/g

    體積密度g/cm3

    振實密度g/cm3

    形貌

    顏色

    G01-N30

    30

    >99.9

    60

    0.09

    2.3

    球形

    淡黃色

    G01-U1

    1000

    >99.9

    21

    0.16

    2.3

    球形

    棕黃色

    備注:根據(jù)用戶要求可提供不同粒度的產(chǎn)品。詳細資料請見產(chǎn)品文檔。

    .納米硅粉 微米硅粉 硅粉 高純硅粉

    產(chǎn)品性能

    納米硅粉具有高純度、粒徑分布范圍小、高比表面積等特點,本產(chǎn)品熔點高達1410攝氏度,沸點為2355攝氏度,電離能8.151電子伏特,納米硅具有無毒、無味、高表面活性的特點,是新一代的光電半導(dǎo)體材料,具有較寬的間隙能半導(dǎo)體,也是高功率的光源材料
    主要用途:充電鋰電池負極材料
    用納米硅粉做成納米硅線用在充電鋰電池負極材料里,或者在納米硅粉表面包覆石墨用做充電鋰電池負極材料,提高了充電鋰電池3倍以上的電容量和充放電循環(huán)次數(shù)。由于納米硅對與鋰電池的高吸收率,將納米硅用與鋰電池可以大幅度提高鋰電池的容量(理論可以達到4000mAh),同時利用世界先進技術(shù),將納米硅粉表面包覆石墨,組成Si-C復(fù)合材料,可以有效的降低由于硅吸收鋰離子時的膨脹,同時可以加大與電解液的親和力,易與分散,提高循環(huán)性能。

    納米硅防水劑
    性能特點:白色乳液,無毒,無刺激味,不燃燒,pH12,密度1.151.2.
    適用范圍:用于磚瓦、水泥、石膏、石灰、涂料、石棉、珍珠巖、保溫板等基面上具有優(yōu)異的防水抗?jié)B效果。
    效果:有防止建筑物風(fēng)化、凍裂及外墻保潔、防污、防霉、防長青苔之功能;質(zhì)量可靠,耐久性好,耐酸堿,耐候性優(yōu)良,對鋼筋無銹蝕,且使用安全,施工方便。
    其它指標(biāo):砂漿抗?jié)B性能S14,混凝土抗?jié)B性能≥S18.技術(shù)性能符合JC4741999[漿、混凝土防水劑]標(biāo)準(zhǔn)及JCT902-2002標(biāo)準(zhǔn)。
    納米硅半導(dǎo)體發(fā)光材料
    硅基發(fā)光材料和器件的基礎(chǔ)研究-我們在硅襯底上設(shè)計了十來種硅/氧化硅納米結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了從近紫外到近紅外的各主要波段(包括1.541.62μm)的光致發(fā)光和正向或反向偏壓下的低閾值電壓電致發(fā)光,并提出了受到廣泛支持的光致發(fā)光和電致發(fā)光模型,這為最終實現(xiàn)硅基光電集成打下一定的基礎(chǔ)。具有重要的科學(xué)意義和巨大的應(yīng)用前景。(1)通過改變富硅量、退火條件等,控制氧化硅中硅納米晶的尺寸及密度。文獻認(rèn)為出現(xiàn)硅納米晶的臨界溫度是1000oC,而我們通過試驗確定出現(xiàn)納米晶的臨界退火溫度為900oC.右圖是經(jīng)900oC退火富硅量約為30%富硅氧化硅的高分辨電鏡象??梢郧宄杓{米晶。圖左上角是它的電子衍射圖。(2)首次觀察到Au/(GeSiO2)超晶格/p-Si結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光。右圖出四周期GeSiO2超晶格的高分辨電鏡圖。其中亮線為SiO2,厚度為2.0nm,Ge層厚為2.4nm.
    3)在硅襯底上用磁控濺射技術(shù)生長了納米SiO2SiSiO2雙勢壘(NDB)單勢阱三明治結(jié)構(gòu),首次實現(xiàn)AuNDBp-Si結(jié)構(gòu)的可見電致發(fā)光。發(fā)現(xiàn)電致發(fā)光的峰位、強度隨納米硅層厚度(W)的改變作同步振蕩,如右圖所示。進一步試驗和分析證明,振蕩周期等于12載流子的deBroglie波長。用我們組提出的電致發(fā)光模型作了解釋。
    4)首次在用磁控濺射生長的SiO2SiEr薄膜的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了波長為1.54μm(光通訊窗口)的Er電致發(fā)光。
    5)在熱處理ITO/自然氧化硅/p-Si中首次獲得低閾值電壓的360nm的紫外電致發(fā)光,是已報道的最短波長的硅基電致發(fā)光。


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