貼片電容壽
貼片電容的封裝有兩種表示方法，一種是英制表示法，一種是公制表示法。美國(guó)的廠家用英制的，日本廠家基本上都用公制的，而國(guó)產(chǎn)的廠家有用英制的也有用公制的。一個(gè)公司所用到的電容封裝，只能統(tǒng)一用一種制式來(lái)表示，不能這個(gè)工程師用英制那個(gè)工程師用公制。否則會(huì)搞混亂。極端的情況下，還會(huì)弄錯(cuò)。比如說(shuō)，英制的有0603的封裝，公制的也有0603的封裝，但是兩者實(shí)際上是完全不同的尺寸的。英制的0603封裝對(duì)應(yīng)公制的是1608，而公制的0603封裝對(duì)應(yīng)英制的卻是0201！其實(shí)英制封裝的數(shù)字大約乘以2.5（前2位后2位分開(kāi)乘）就成為了公制封裝規(guī)格?，F(xiàn)在流行的是用英制的封裝表達(dá)法。比如我們常說(shuō)的0402封裝就是英制的表達(dá)法，其對(duì)應(yīng)的公制封裝為1005（1.0*0.5mm）。
為了使貼片電容的使用壽命得到保證;我們?cè)谶x擇構(gòu)成材料時(shí)，都得非常謹(jǐn)慎小心；生產(chǎn)過(guò)程中，嚴(yán)格操作，嚴(yán)格檢查，嚴(yán)格驗(yàn)證。
貼片電容在確認(rèn)使用及安裝環(huán)境時(shí)，要按照產(chǎn)品樣本設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)上所規(guī)定的額定性能范圍使用內(nèi)使用，避免在高溫（溫度超過(guò)最高使用溫度）、過(guò)流(電流超過(guò)額定紋波電流)、過(guò)壓（電壓超過(guò)額定電壓）等情況中使用。
貼片電容根據(jù)不同品牌不同溫度壽命也不一樣，所以在選擇貼片電容的時(shí)候盡量選知名度較高的電容廠家，
貼片電容采用堅(jiān)固的全鉭結(jié)構(gòu)進(jìn)行制造，可承受高應(yīng)力和危險(xiǎn)環(huán)境，非常適合應(yīng)用于武器系統(tǒng)、雷達(dá)、無(wú)線(xiàn)收發(fā)機(jī)和電源等要求苛刻、高應(yīng)力的國(guó)防和航天系統(tǒng)中的低壓濾波和儲(chǔ)能系統(tǒng)。貼片電容的容值為180μF~10,000μF，在120Hz和+25℃標(biāo)準(zhǔn)條件下的容差為±20%，也提供±10%的容差。
具有每單位體積容值最高的獨(dú)特陰極系統(tǒng)，代表了在鉭電容器技術(shù)上的最新突破。貼片電容兼具鉭的內(nèi)在可靠性和固鉭的容值穩(wěn)定性，沒(méi)有電路阻抗的限制，大幅提高了容值等級(jí)。工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達(dá)+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
高可靠性貼片電容器的性能，擴(kuò)大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。不同于商用級(jí)電容器，這些器件具有所需的可靠性和在高可靠性應(yīng)用中確保性能所必需的浪涌篩選選項(xiàng)，同時(shí)還能保持最大的容值電壓乘積，該數(shù)值是衡量電容器能夠儲(chǔ)存多少能量的優(yōu)值系數(shù)，可幫助設(shè)計(jì)者為其應(yīng)用選擇最佳的電容器.
很多人都不知道貼片電容到底有多少壽命，使用了多少壽命那么今天我司就為大家介紹下電容如何推斷出壽命首先通過(guò)電壓加速與溫度加速系數(shù)可推算出電容器的使用壽命，步驟如下：
可將產(chǎn)品使用時(shí)的外部環(huán)境溫度及施加電壓作為參數(shù)進(jìn)行公式化。 一般來(lái)說(shuō)，阿列紐斯法則被廣泛用于加速公式中，而我們運(yùn)用以下公式便可簡(jiǎn)單地進(jìn)行推算。
47_01cn.PNG 在此公式的基礎(chǔ)上，通過(guò)在更為嚴(yán)苛的條件(更高溫、更高電壓)下進(jìn)行加速試驗(yàn)，可推算出產(chǎn)品在實(shí)際使用環(huán)境下的使用壽命。 在此，我們一起來(lái)比較一下獨(dú)石陶瓷電容器的加速試驗(yàn)與實(shí)際產(chǎn)品使用的假定環(huán)境。我們將電容器的加速試驗(yàn)中將耐久試驗(yàn)時(shí)間視為LA，將實(shí)際使用環(huán)境下的相當(dāng)年數(shù)視為LN，用于上述公式。
耐久試驗(yàn)條件 假定使用環(huán)境 電壓加速系數(shù) 溫度加速系數(shù) 相應(yīng)年限 TA＝85°C VA＝20V LA＝1000h TN＝65°C VN＝5V n＝4 θ＝8 LN＝？h 這樣，我們即可通過(guò)在85°C、施加20V電壓的環(huán)境下進(jìn)行了1000h的耐久試驗(yàn)，推算出在5°C、施加5V電壓的環(huán)境下產(chǎn)品使用年限為1448155h(≒165年！)。計(jì)算中使用的電壓加速系數(shù)、溫度加速系數(shù)會(huì)由陶瓷材料的種類(lèi)及構(gòu)造產(chǎn)生不同，但通過(guò)加速計(jì)算公式可在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)利用試驗(yàn)結(jié)果來(lái)驗(yàn)證長(zhǎng)時(shí)間的實(shí)際使用環(huán)境中的產(chǎn)品使用壽命。
以上就是我司為大家解答的貼片電容壽命推斷數(shù)據(jù)與資料大家學(xué)會(huì)了嗎，如果不明之處可詢(xún)問(wèn)我司！
貼片電容其主要作用是為了清除由芯片自身產(chǎn)生的各種高頻信號(hào)對(duì)其他芯片的串?dāng)_，從而讓各個(gè)芯片模塊能夠不承受干擾而正常工作。在高頻電子的振蕩線(xiàn)路中，貼片式電容與晶體振蕩器等元件一起組成振蕩電路，給各種電路提供所需的時(shí)鐘頻率。
貼片式電容有著貼片式陶瓷電容、貼片式鉭電容、貼片式鋁電解電容。貼片式陶瓷電容無(wú)極性，容量也很?。?/span>PF級(jí)），一般可以耐很高的溫度和電壓，常用于高頻濾波。陶瓷電容看起來(lái)有點(diǎn)像貼片電阻（因此有時(shí)候我們也稱(chēng)之為“貼片電容”），但貼片電容上沒(méi)有印有代表容量大小的數(shù)字。
貼片式鉭電容的特點(diǎn)是壽命長(zhǎng)、耐高溫、準(zhǔn)確度高、濾高頻改波性能極好，不過(guò)容量較小、價(jià)格也比鋁電容貴，而且耐電壓及電流能力相對(duì)較弱。它被應(yīng)用于小容量的低頻濾波電路中。
貼片鉭電容與陶瓷電容相比，其表面均有電容容量和耐壓標(biāo)識(shí)，其表面顏色通常有黃色和黑色兩種。譬如100-16即表示容量100μF，耐壓16V。
貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量，其多見(jiàn)于顯卡上，容量在300μF~1500μF之間，其主要是滿(mǎn)足電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用。
首先是陶瓷本體問(wèn)題-斷裂或微裂，這是最常見(jiàn)的問(wèn)題之一。斷裂現(xiàn)象較明顯，而微裂一般出在內(nèi)部，不容易觀察到，涉及到片狀電容的材質(zhì)、加工工藝和片狀電容使用過(guò)程中的機(jī)械、熱應(yīng)力等作用因素影響。
其次是片狀電容電性能問(wèn)題。片狀電容使用一段時(shí)間后出現(xiàn)絕緣電阻下降、漏電。
以上兩個(gè)問(wèn)題往往同時(shí)產(chǎn)生，互為因果關(guān)系。電容器的絕緣電阻是一項(xiàng)重要的參數(shù)，衡量著工作中片狀電容漏電流大小。漏電流大，片狀電容儲(chǔ)存不了電量，片狀電容兩端電壓下降。往往由于漏電流大導(dǎo)致了片狀電容失效，引發(fā)了對(duì)片狀電容可靠性問(wèn)題的爭(zhēng)論。
可靠性問(wèn)題：片狀電容失效分為三個(gè)階段：
第一階段是片狀電容生產(chǎn)、使用過(guò)程的失效，這一階段片狀電容失效與制造和加工工藝有關(guān)。片狀電容制造過(guò)程中，第一道工序陶瓷粉料、有機(jī)黏合劑和溶劑混合配料時(shí)，有機(jī)黏合劑的選型和在瓷漿中的比例決定了瓷漿干燥后瓷膜的收縮率；第三道工序絲印時(shí)內(nèi)電極金屬層也較關(guān)鍵，否則易產(chǎn)生強(qiáng)的收縮應(yīng)力，燒結(jié)是形成瓷體和產(chǎn)生片狀電容電性能的決定性工序，燒結(jié)不良可以直接影響到電性能，且內(nèi)電極金屬層與陶瓷介質(zhì)燒結(jié)時(shí)收縮不一致導(dǎo)致瓷體內(nèi)部產(chǎn)生了微裂紋，這些微裂紋對(duì)一般電性能不會(huì)產(chǎn)生影響，但影響產(chǎn)品的可靠性。主要的失效模式表現(xiàn)為片狀電容絕緣電阻下降，漏電。
防范、杜絕微裂紋的產(chǎn)生：從原材料選配、瓷漿制備、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)四方面優(yōu)選工藝參數(shù)，以達(dá)到片狀電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)合理，電性能穩(wěn)定，可靠性好。
第二階段是片狀電容穩(wěn)定地被用于電子線(xiàn)路中，該階段片狀電容失效概率正逐步減小，并趨于穩(wěn)定。分析片狀電容使用過(guò)程中片狀電容受到的機(jī)械和熱應(yīng)力，即分析加工過(guò)程中外力對(duì)片狀電容可能的沖擊作用，并依據(jù)片狀電容在加工過(guò)程中受到的應(yīng)力作用，設(shè)計(jì)各種應(yīng)力實(shí)驗(yàn)條件，衡量作用在片狀電容上的外應(yīng)力大小及其后果。也可具體做一些片狀電容可靠性實(shí)驗(yàn)以明確片狀電容前階段是否存在可靠性隱患。
片狀電容在該過(guò)程中受到熱和機(jī)械應(yīng)力的作用，嚴(yán)重時(shí)出現(xiàn)瓷體斷裂現(xiàn)象。若片狀電容受到的熱和機(jī)械應(yīng)力接近臨界時(shí)，則不出現(xiàn)明顯的斷裂現(xiàn)象，而是表現(xiàn)為內(nèi)部裂紋的出現(xiàn)或內(nèi)部微裂紋的產(chǎn)生。用烙鐵補(bǔ)焊時(shí)，明顯裂紋則表現(xiàn)為斷裂，微裂紋大多數(shù)表現(xiàn)為電性能恢復(fù)正常，漏電現(xiàn)象消失，但時(shí)間一長(zhǎng)，片狀電容可靠性差的缺陷就體現(xiàn)出來(lái)。
第三階段是片狀電容長(zhǎng)時(shí)間工作后出現(xiàn)失效現(xiàn)象，這一階段片狀電容失效往往由于老化、磨損和疲勞等原因使元件性能惡化所致。電子整機(jī)到消費(fèi)者手中出現(xiàn)整機(jī)功能障礙，追溯原因，發(fā)現(xiàn)片狀電容漏電流大，失效。一般此類(lèi)問(wèn)題源自于第一階段或第二階段片狀電容可靠性隱患的最終暴露，該階段出現(xiàn)的質(zhì)量比前兩個(gè)階段嚴(yán)重得多。由于整機(jī)在消費(fèi)者使用過(guò)程中涉及到的條件，整機(jī)生產(chǎn)廠家和元器件廠家大多都模擬試驗(yàn)過(guò)，所以片狀電容在整機(jī)出廠前，應(yīng)符合電子線(xiàn)路的要求，但整機(jī)因片狀電容使用一段時(shí)間出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題，則要認(rèn)真研究片狀電容生產(chǎn)或加工過(guò)程中的質(zhì)量隱患。應(yīng)更換片狀電容以保證電子整機(jī)設(shè)備的正常工作。
片狀電容出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題，特別是涉及到可靠性方面的質(zhì)量問(wèn)題，是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。它的表現(xiàn)形式主要是瓷體斷裂、微裂或絕緣電阻下降、漏電流增大居多，出現(xiàn)片狀電容可靠性失效的質(zhì)量問(wèn)題，應(yīng)從大角度、全方位、分階段分析、研究該問(wèn)題。
當(dāng)然，客觀上片狀電容存在一定比率的失效率，針對(duì)與片狀電容有關(guān)的質(zhì)量問(wèn)題，既要承認(rèn)陶瓷片狀電容存在一定脆性，又要認(rèn)可通過(guò)現(xiàn)代貼片、組裝技術(shù)能夠最限度減少對(duì)陶瓷片狀電容的應(yīng)力沖擊。研究、分析片狀電容出現(xiàn)的質(zhì)量問(wèn)題，找到問(wèn)題產(chǎn)生的根源，對(duì)于現(xiàn)在大量使用于電子整機(jī)的片式電容而言，防范、杜絕可靠性問(wèn)題的出現(xiàn)，具有很現(xiàn)實(shí)的意義。
貼片電容不宜手工焊接，但如果條件不具備一定要用手工焊接，必須委任可靠的操作員；先把電容和基板預(yù)熱到150℃，用不大于20W和頭不超過(guò)3mm的電烙，焊接溫度不超過(guò)240℃，焊接時(shí)間不超過(guò)5S進(jìn)行，要非常小心不能讓烙鐵接觸貼片的瓷體，因?yàn)闀?huì)使瓷體局部高溫而破裂。
