細節(jié)展示
雙層風(fēng)扇散熱裝置
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貝意克公司研制的PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。其優(yōu)勢有沉積溫度低，沉積速率快，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂等。
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產(chǎn)品型號：
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BTF-1200C-PECVD
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實驗機理：
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PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單。
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技術(shù)參數(shù)：
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加熱區(qū)參數(shù)
反應(yīng)腔體尺寸：Φ50，Φ60，Φ80，Φ100
加熱元件：電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo）
加熱區(qū)長度：440mm
恒溫區(qū)長度：200mm（±1℃）
工作溫度：1100℃
最高溫度：1200℃
控溫方式：模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能
控溫精度：±1℃
升溫速率：20℃/min
爐門結(jié)構(gòu)：開啟式
工作電源：AC220V /50HZ
額定功率：3KW
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真空參數(shù)
采用KF25系列波紋管和手動擋板閥；
真空度可達10-3torr；
數(shù)顯真空測試儀可直觀的顯示數(shù)值。
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流量控制參數(shù)
內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計可準確的控制氣體流量；
氣體流量范圍可選，誤差為±1.5%；
一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥；
不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動控制混合氣體輸入。
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射頻電源與匹配器
電源：單相50/60Hz 220v±10%
加熱（功率）電源：2.5KW，25A
控制柜電源空氣開關(guān)：32A空氣開關(guān)
薄膜生長室溫度：室溫~ 1200℃
射頻頻率：13.56MHz
射頻功率輸出范圍：5~500W
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細節(jié)展示：
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外型尺寸：
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爐體：940×380×520mm
供氣及真空系統(tǒng)：600×600×600mm
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凈重：
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130Kg
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認證和專利：
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專利號：ZL201320052532.0 （專利產(chǎn)品，防偽必究）
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