圖1.（RS485）和圖2.（RS422）

• ET 200SP CM PtP

圖3.（RS485）和圖4.（RS422）

• S7-1500 CM PtP RS485/RS422 BA/HF
• CP 340 / CP 341
• CP440/CP 441-1 / CP 441-2

圖5.（RS485）和圖6.（RS422）

• ET 200S 1SI

圖7.和圖8.（RS485）

• CM1241
• CB1241

注意：

如果使用了超過 50m 的 RS485 連接線或 RS422 連接線，需要加約 330Ω 的終端電阻。

CM 1241 和 CB 1241 的模塊使用其它的終端電阻。

終端和偏置在 RS485 網絡的兩端設置，中間的設備不需要增加終端和偏置。

ET200SP CM PtP

圖1 .顯示了 RS485 接口通訊的端子分配。
   

圖. 1
 

圖 2.顯示了 RS422 接口通訊的端子分配。
  

目錄:

    1    問題     
    2    回答    

1    問題
S120 書本型模塊有哪些冷卻方式？ 
2    回答
SINAMICS S120 書本型模塊提供了以下幾種不同冷卻方式的訂貨形式：
(1)    內部風冷
(2)    外部風冷
(3)    冷卻板式冷卻
(4)    液體冷卻
各種冷卻方式的詳細說明如表1所示。

Normal 0 false false false false EN-US ZH-CN X-NONE

序號	說明與圖示
1.	內部風冷 驅動組件中電子單元和功率單元產生的功率損耗通過自然冷卻或強制通風系統排散到控制柜內部
2.	外部風冷 采用“穿孔”技術，系統組件中功率單元的散熱器穿過控制柜內的安裝面。因此可以將電力電路的熱損耗釋放到一個單獨的外部冷卻回路上，柜內殘留的熱損耗由電子元件產生。這種外部散熱器可以達到IP54防護等級。散熱器配有散熱片和風扇(屬于供貨范圍)，向后伸出一個單獨的通風管道，該管道也可以向外打開。
3.	冷卻板式冷卻 采用冷卻板式冷卻的單元可以將功率單元的熱損耗通過單元后面板上的導熱介質傳導到一個外部散熱器上。例如，外部散熱器可采用水冷。
4.	液體冷卻 在液冷單元，功率半導體安裝在冷卻介質流經的散熱器上，該單元產生的大部分熱量會被冷卻介質吸收并可在控制柜外耗散。

描述
“技術數據” 和下表給出的 SIMATIC S7 存儲卡（SMC）的規(guī)范：
 

訂貨號	產品	最小刪除/寫操作次數	最小數據保持時間 (最后一次編程之后)
6ES7954-8LB01-0AA0	SIMATIC Memory Card, 2 MB	500,000	10 年1)
6ES7954-8LC01-0AA0	SIMATIC Memory Card, 4 MB	500,000	10 年1)
6ES7954-8LC02-0AA0	SIMATIC Memory Card, 4 MB	500,000	10 年1)
6ES7954-8LE01-0AA0	SIMATIC Memory Card, 12 MB	500,000	10 年1)
6ES7954-8LE02-0AA0	SIMATIC Memory Card, 12 MB	500,000	10 年1)
6ES7954-8LF01-0AA0	SIMATIC Memory Card, 24 MB	500,000	10 年1)
6ES7954-8LF02-0AA0	SIMATIC Memory Card, 24 MB	500,000	10 年1)
6ES7954-8LL02-0AA0	SIMATIC Memory Card, 256 MB	200,000	10 年2)
6ES7954-8LP01-0AA0	SIMATIC Memory Card, 2 GB	100,000	10 年5)
6ES7954-8LP02-0AA0	SIMATIC Memory Card, 2 GB	60,000	10 年3)
6ES7954-8LT02-0AA0	SIMATIC Memory Card, 32 GB	50,000	10 年4)
6ES7954-8LT03-0AA0	SIMATIC Memory Card, 32 GB	100,000	10 年5)

1)如果刪除/寫操作次數 <50,000 則為10 年(如果刪除/寫操作次數 > 450,000 則為1 年)
2)如果刪除/寫操作次數 < 20,000 則為10 年( 如果刪除/寫操作次數 > 180,000 則為1 年)
3)如果刪除/寫操作次數 < 6,000 則為10 年( 如果刪除/寫操作次數 > 54,000 則為1 年)
4)如果刪除/寫操作次數 < 5,000 則為10 年( 如果刪除/寫操作次數 > 45,000 則為1 年)
5)如果刪除/寫操作次數 < 10,000 則為10 年( 如果刪除/寫操作次數 > 90,000 則為1 年)

最大的刪除和寫操作重復次數的 10% 規(guī)則適用于所有的 SMC 卡。

例如，對于 32GB 的 SMC 卡 ( 6ES7 954-8LT03-0AA0 )，

如果刪除/寫操作小于 10,000 次，那么該存儲卡的最小服務生命周期是 10 年。但是如果刪除/寫操作超過 90,000 次，那么該存儲卡的服務生命周期最小只有 1 年。

計算 32 GB SMC存儲卡 (6ES7 954-8LT03-0AA0) 的服務生命周期

以下說明了 32 GB 的西門子存儲卡的可寫容量。

• 32 GB 的西門子存儲卡 (...-8LT03-0AA0) 指定了100,000 次刪除/寫操作。
• 每個字節(jié)允許訪問 100,000 次 (刪除或寫)。
• 該卡的存儲容量大約是 32,000,000,000 個字節(jié)。
• 內部信息的元數據對可寫容量的影響系數為 100。
  

計算 SMC 卡的寫容量，如下：
   

		存儲卡大小
可寫容量	=	-------------------------------------	*	刪除/寫操作的最小次數
		內部元數據總計
舉例 32 GB SD 卡：
		32,000,000,000 字節(jié)
可寫容量	=	---------------------------------	*	100,000
		100
可寫容量	=	32 TB

下面計算 32 GB SMC 存儲卡的服務生命周期：

實例 1
如果每秒將 160 個字節(jié)的數據塊寫入到該卡中，那么該卡的服務生命周期是：32 TB / 160 bytes/s = 200,000,000,000 秒 (理論上 6334 年，假設 1 年 = 365.24 天)。

實例 2
如果每秒將 160 KB 的數據記錄 (csv) 寫入到該卡中，那么該卡的服務生命周期是：32 TB / 160 KB/s = 200,000,000 秒 (理論上 6.34 年)。

注意：
這里忽略了諸如在微軟Windows中編寫和刪除操作和下載項目的操作，因為這些操作不會像上述操作那樣頻繁發(fā)生。

當超過存儲卡的最小服務生命周期的 80% 時，S7-1500 CPU 的診斷緩沖區(qū)會顯示一條信息。另外，當達到存儲卡的最小服務生命周期的 100% 時，MAINT 指示燈也會亮起。

如果 S7 - 1500 CPU 模塊的固件版本小于 V2.0，下面的 SMC 卡不支持此功能：

•  2 GB (訂貨號 6ES7954-8LP02-0AA0)
•  32 GB (訂貨號 6ES7954-8LT02-0AA0)

• 32 GB (訂貨號 6ES7 954-8LT03-0AA0)

固件版本 V2.1和 更高的 S7-1500 CPU 模塊可以使用 “getsmcinfo” 塊。此塊可以在定義的服務生命期超過時顯示診斷條目。 該塊提供訪問用戶程序中的下列信息：

• 存儲卡容量
• 占用的內存
• 已在SMC上執(zhí)行的刪除和寫入次數和可保證的刪除和寫入程序的次數的百分比值（50000；100000；等）。

在集約使用的情況下（例如配方和歸檔），可以評估 SMC 的服務生命周期信息，并在相應的時間作為維修計劃的一部分，相應地更換它。

表中列出的塊對 SMC 有讀/寫訪問權：

Block	Name	Debion
FB	SET_TIMEZONE	設置時區(qū)
SFC 84	WRIT_DBL	將數據寫入到裝載存儲器的數據塊中
SFC 84	CREATE_DB	創(chuàng)建數據塊
SFC 95	DELETE_DB	刪除數據塊
SFB 140	DataLogCreate	創(chuàng)建數據記錄
SFB 142	DataLogWrite	寫入數據記錄
SFB 143	DataLogClear	清空數據記錄
SFB 144	DataLogClose	關閉數據記錄
SFB 145	DataLogDelete	刪除數據記錄
SFB 147	DataLogOpen	打開數據記錄
SFB 148	DataLogNewFile	新文件中的數據記錄
SFB 1003	RecipeExport	導出配方

注意
如果循環(huán)調用表中列出的塊，可以顯著縮短 SMC 的使用壽命