激光半導體模塊 50S激光模塊 50D激光半導體模塊 Q開關(guān) 打標機模塊
半導體激光器人通常也叫半導體模塊。其實半導體模塊是半導體激光器里面的一部分。
半導體模塊是以一定的半導體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件.其工作原理是,通過一定的激勵方式,在半導體物質(zhì)的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間,實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復合時,便產(chǎn)生受激發(fā)射作用.半導體激光器的激勵方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式.電注入式半導體激光器,一般是由GaAS(砷化鎵),InAS(砷化銦),Insb(銻化銦)等材料制成的半導體面結(jié)型二極管,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結(jié)平面區(qū)域產(chǎn)生受激發(fā)射.光泵式半導體激光器,一般用N型或P型半導體單晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物質(zhì),以其他激光器發(fā)出的激光作光泵激勵.高能電子束激勵式半導體激光器,一般也是用N型或者P型半導體單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質(zhì),通過由外部注入高能電子束進行激勵.在半導體激光器件中,目前性能較好,應用較廣的是具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電注入式GaAs二極管激光器
半導體模塊功率
半導體模塊激光器的功率從幾瓦到幾千瓦不等。激光打標機常用50W、75W、100W半導體模塊。對于端面泵浦的半導體模塊則一般使用幾瓦。最高一般采用20W
半導體激光器腔長與損耗的關(guān)系
激光器的腔體可以有諧振腔和外腔之分。在諧振腔里，激光器的損耗有很多種類，比如偏折損耗，法布里珀羅諧振腔就有較大偏折損耗，而共焦腔的偏折損耗較小，適合于小功率連續(xù)輸出激光，還比如反轉(zhuǎn)粒子的無輻射躍遷損耗（這類損耗可以歸為白噪聲）等等之類的，都是腔長長損耗大。激光器閾值電流不過就是能讓激光器起振的電流，諧振腔長短的不同可以使得閾值電流有所不同，半導體激光器中，像邊發(fā)射激光器腔長較長，閾值電流相對較大，而垂直腔面發(fā)射激光器腔長極短，閾值電流就非常低了。這些都不是一兩句話可以說的清楚的，它們各自的速率方程也都不同，不是一兩個式子能解釋的。另外諧振腔長度不同也可以達到選模的作用，即輸出激光的頻率不同。
半導體激光器的常用參數(shù) 半導體激光器的常用參數(shù)可分為：波長、閾值電流Ith 、工作電流Iop 、垂直發(fā)散角θ⊥、水平發(fā)散角θ∥、監(jiān)控電流Im 。
（1）波長：即激光管工作波長，目前可作光電開關(guān)用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、激光二極管690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。
?。?）閾值電流Ith ：即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流，對一般小功率激光管而言，其值約在數(shù)十毫安，具有應變多量子阱結(jié)構(gòu)的激光管閾值電流可低至10mA以下。
（3）工作電流Iop ：即激光管達到額定輸出功率時的驅(qū)動電流，此值對于設計調(diào)試激光驅(qū)動電路較重要。
?。?）垂直發(fā)散角θ⊥：激光二極管的發(fā)光帶在垂直PN結(jié)方向張開的角度，一般在15?~40?左右。
（5）水平發(fā)散角θ∥：激光二極管的發(fā)光帶在與PN結(jié)平行方向所張開的角度，一般在6?~ 10?左右。
?。?）監(jiān)控電流Im ：即激光管在額定輸出功率時，在PIN管上流過的電流。
激光二極管在計算機上的光盤驅(qū)動器，激光打印機中的打印頭，條形碼掃描儀，激光測距、激光醫(yī)療，光通訊，激光指示等小功率光電設備中得到了廣泛的應用，在舞臺燈光、激光手術(shù)、激光焊接和激光武器等大功率設備中也得到了應用
深圳市華鵬艾偉科技有限公司 供應50S、50D激光半導體模塊
