性能特點：
替代第3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM，采用全柵型CSTBTTM硅片具有低損耗，600V:Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V， 1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V，優(yōu)化上溫度傳感器 ，新的結(jié)線技術顯著改善功率循環(huán)，兼容現(xiàn)有V系列小封裝 ，SXR端子提供穩(wěn)壓電源供外部光耦使用（可選），V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，降低約20%，（PM300DV1A120與PM300DVA120相比較）。
應用領域：
高端通用變頻器、伺服電機驅(qū)動器等
