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某實驗室運用直流磁控濺射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 結合正交試驗表通過改變制備工藝中的基片溫度、濺射功率、氧流量百分比等參數(shù), 在普通玻璃襯底上制備得到ZnO: Al（ZAO）透明導電薄膜.

試驗設備:

伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 220 進行濺射, 選用 ZAO 陶瓷靶, 基片為普通玻璃, 普發(fā) Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

工藝要求:

靶與基片距離為5cm, 濺射時間為30 min

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 220 技術參數(shù):

推薦理由:

聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

在整個實驗工藝中工作氣壓保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯東 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

伯東 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技術參數(shù)如下:

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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