Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數如下:
|
Ф4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
|
樣品臺 |
樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉 |
|
|
離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
|
|
均勻性 |
±5% for 8”Ф |
|
|
硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
|
|
溫度 |
<100 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
|
離子源型號 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
30 cm |
|
直徑 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉, 實現晶圓反應面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現提高晶圓的加工質量.
運用結果：
1. 有效去除晶圓反應表面產生的反應產物, 進而提高反應效率
2. 晶圓的均勻度得到良好提高
3. 晶圓的加工質量得到明顯提高
若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究！
