KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):
射頻離子源型號 |
RFICP380 |
Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
離子束流 |
>1500 mA |
離子動能 |
100-1200 V |
柵極直徑 |
30 cm Φ |
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
流量 |
15-50 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
長度 |
39 cm |
直徑 |
59 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):
離子源型號 |
eH3000LO |
eH3000MO |
|
Cathode/Neutralizer |
HC |
||
電壓 |
50-250V |
50-300V |
50-250V |
電流 |
20A |
10A |
15A |
散射角度 |
>45 |
||
可充氣體 |
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
||
氣體流量 |
5-100sccm |
||
高度 |
6.0“ |
||
直徑 |
9.7“ |
||
水冷 |
可選 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
渦輪分子泵 HiPace 2300 技術(shù)參數(shù):
型號 |
接口 DN |
抽速 l/s |
壓縮比 |
zui高啟動壓強(qiáng)hPa |
極限壓力 |
全轉(zhuǎn)速氣體流量hPa l/s |
啟動時間 |
重量 |
|||
進(jìn)氣口 |
排氣口 |
氮氣N2 |
氦氣He |
氫氣 H2 |
氮氣N2 |
氮氣N2 |
hPa |
氮氣N2 |
min |
kg |
|
HiPace 2300 |
250 |
40 |
1,900 |
2,000 |
1,850 |
> 1X108 |
1.8 |
< 1X10–7 |
20 |
4 |
34 – 47 |
鍍膜機(jī)實際運用案例:
采用多靶磁控濺射鍍膜機(jī)在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯塊表面上濺射沉積 ZrB_2 涂層,與其他未引用 KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控濺射鍍膜機(jī)相比, 引進(jìn) KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其鍍制的 ZrB_2 涂層附著力明顯提高, 涂層厚度更加均勻, 晶粒更加細(xì)小, 沉積率更高.
KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.
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