在進行鍍膜等工藝之前, 對原樣品的表面平整度/潔凈程度等參數(shù)會有不同的要求. 對于不達(dá)標(biāo)的樣品需要進行前處理, KRI霍爾離子源可以很好的解決這類的問題.
應(yīng)用KRI霍爾離子源可以在低功耗的情況下進行大電流的工作, 很好的處理樣品的清潔度/和平整度; 可以根據(jù)不同的工藝要求來控制樣品表面的光滑/粗糙程度; 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 達(dá)到清洗前處理的作用.
穩(wěn)定工藝并提高產(chǎn)品產(chǎn)量. KRI離子源清洗在在真空室中進行, 基板表面清潔后可以立即沉積, 短停留時間暴露于真空背景清潔并活化基材表面比輝光放電更清潔, 生產(chǎn)率更高; 無需基板偏置/無需高壓, 消除了大多數(shù)腔室壁的濺射, 沒有額外的抽空, 很好地提高了整體工藝的效率與質(zhì)量.
中國科學(xué)院沈陽科學(xué)儀器股份有限公司客戶選用KRI EH1000型霍爾離子源組裝磁控濺射設(shè)備對聚氨酯類的材料進行清洗前處理.
離子源清洗樣品的示意圖：
KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
? 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無需水冷
? 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):
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型號 |
eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 電壓 |
40-300V VDC |
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- 離子源直徑 |
~ 5 cm |
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- 陽極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
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電源控制 |
eHx-30010A |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 陽極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移動或快接法蘭 |
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- 高度 |
4.0' |
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- 直徑 |
5.7' |
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- 加工材料 |
金屬 |
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- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安裝距離 |
10-36” |
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- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
上海伯東是美國 考夫曼離子源在中國的總代理商.
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