在進(jìn)行鍍膜等工藝之前, 對(duì)原樣品的表面平整度/潔凈程度等參數(shù)會(huì)有不同的要求. 對(duì)于不達(dá)標(biāo)的樣品需要進(jìn)行前處理, KRI霍爾離子源可以很好的解決這類的問(wèn)題.
應(yīng)用KRI霍爾離子源可以在低功耗的情況下進(jìn)行大電流的工作, 很好的處理樣品的清潔度/和平整度; 可以根據(jù)不同的工藝要求來(lái)控制樣品表面的光滑/粗糙程度; 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 達(dá)到清洗前處理的作用.
穩(wěn)定工藝并提高產(chǎn)品產(chǎn)量. KRI離子源清洗在在真空室中進(jìn)行, 基板表面清潔后可以立即沉積, 短停留時(shí)間暴露于真空背景清潔并活化基材表面比輝光放電更清潔, 生產(chǎn)率更高; 無(wú)需基板偏置/無(wú)需高壓, 消除了大多數(shù)腔室壁的濺射, 沒(méi)有額外的抽空, 很好地提高了整體工藝的效率與質(zhì)量.
中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)科學(xué)儀器股份有限公司客戶選用KRI EH1000型霍爾離子源組裝磁控濺射設(shè)備對(duì)聚氨酯類的材料進(jìn)行清洗前處理.
離子源清洗樣品的示意圖：
KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
? 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無(wú)需水冷
? 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):
|
型號(hào) |
eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
|
供電 |
DC magnetic confinement |
|
- 電壓 |
40-300V VDC |
|
- 離子源直徑 |
~ 5 cm |
|
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
|
電源控制 |
eHx-30010A |
|
配置 |
- |
|
- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
|
- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
|
- 陽(yáng)極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
|
- 水冷 |
前板水冷 |
|
- 底座 |
移動(dòng)或快接法蘭 |
|
- 高度 |
4.0' |
|
- 直徑 |
5.7' |
|
- 加工材料 |
金屬 |
|
- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
|
- 安裝距離 |
10-36” |
|
- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
上海伯東是美國(guó) 考夫曼離子源在中國(guó)的總代理商.
上海伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空設(shè)備, 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
我們真誠(chéng)期待與您的合作！
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 葉小姐
臺(tái)灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109
T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490
F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267
M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-vacuum.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
