在各種真空沉積過程中, 薄膜被沉積在基底上. 這種沉積膜的性能取決于沉積膜基底表面的清潔度. 這種表面的污染會導(dǎo)致薄膜與基底的粘附力降低, 沉積后薄膜的降解速度更快, 導(dǎo)電薄膜的接觸電阻更大, 光學(xué)薄膜的光學(xué)質(zhì)量較差.
即使小心處理, 表面污染形式為吸附水蒸氣和各種碳?xì)浠衔锸怯捎谠诔练e前暴露在實(shí)驗(yàn)室大氣中造成的. 這種暴露也會導(dǎo)致在反應(yīng)基底材料上形成天然氧化層. 為了去除這種表面污染, 當(dāng)系統(tǒng)達(dá)到一定真空度, 為了使基片表面得到更致密的膜, 沉積薄膜之前, 對基底進(jìn)行原位清洗非常有必要.
離子源通過加熱燈絲產(chǎn)生離子束, 低濃度高能量寬束型離子源利用柵極控制離子束的濃度和方向, 離子束可選集中, 平行, 散設(shè).
較低的背景壓力是離子束清洗的主要優(yōu)點(diǎn), 通常在10-4Torr范圍內(nèi), 分子的平均自由程比較長, 較長的路徑極大地增加了污染物從基底表面去除后, 又返回到真空室的可能性. 提高系統(tǒng)的真空度, 保證較低的背景壓力會最大限度地減少清洗和沉積步驟之間可能積聚的新污染. 經(jīng)驗(yàn)法則是, 在10-6torr的污染背景壓力下, 污染可以在1秒內(nèi)累積. 重要的是污染物的背景壓力才是最重要的.
KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列, 柵極燈絲型離子源, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 提供低電流高能量離子束. 離子束可選聚焦,平行, 散設(shè)三種方式, KDC 系列離子源適用于離子濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC, 輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD, 離子蝕刻 IBE 等.
網(wǎng)格離子源和無網(wǎng)格離子源都被用來產(chǎn)生用于原位清洗的離子束. 柵網(wǎng)離子源可以更好地控制離子束的覆蓋范圍, 無柵網(wǎng)（霍爾源）在最常用于清潔的低能離子束方面更具成本效益.
伯東KRI離子源在E-beam設(shè)備上的薄膜預(yù)清洗
離子源預(yù)清洗案例一: 國內(nèi)某高校使用KRI 考夫曼離子源KDC40用于基片的預(yù)清洗來做表面改性, 有助于提高后續(xù)PVD鍍膜的均勻性和提高薄膜的附著力.
上海伯東是美國 考夫曼離子源在中國的總代理商.
上海伯東是德國 Pfeiffer 真空設(shè)備, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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