采用真空鍍膜的方式在幾種基底上沉積薄膜, 這種薄膜的性能取決于基底的清潔度. 基底表面的污染物會(huì)影響薄膜和基底的附著力, 更會(huì)加快沉積后薄膜性能的退化, 比如導(dǎo)電膜電阻變大, 光學(xué)膜的光學(xué)性能變差.
即使通過(guò)小心的處理, 基底在鍍膜前也會(huì)因?yàn)楸┞对诖髿庀露晃剿吞細(xì)浠衔镂廴?/span>. 這種暴露也會(huì)在基底表面產(chǎn)生氧化層. 要去除這種污染, 必須將基底置于真空環(huán)境下進(jìn)行清洗, 而且在鍍膜前不能再接觸到大氣.
為了除去基底表面的污染物, 鍍膜的廠商一般采用離子源進(jìn)行清洗, 離子束在清洗方面的選擇性要高得多, 因?yàn)楦吣茈x子可以定向到基底上, 這樣只會(huì)出去基底和周?chē)浇奈廴疚?/span>.
能夠獨(dú)立于環(huán)境因素調(diào)節(jié)離子能量也很重要, 可以去除實(shí)驗(yàn)環(huán)境中基質(zhì)表面的水蒸氣和碳?xì)浠衔锏任锢砦轿廴疚?/span>. 低能量離子非常有效, 能量小于100eV可以避免損傷襯底或明顯的濺射. 物理吸附污染物的去除量很小, 小于1ma-s / cm2.
另一方面, 更高的離子能量可以用來(lái)去除化學(xué)修飾層, 如氧化物. 較強(qiáng)的化學(xué)修飾層通常需要至少100 EV的離子能量, 所需的離子能量根據(jù)污染物的濺射速率和厚度來(lái)計(jì)算.
較低的工作壓力更有利于離子清洗. 工作壓力取決于所使用的真空泵, 通常在10-4 Torr范圍內(nèi), 導(dǎo)致分子的平均自由層路徑比輝光放電長(zhǎng)數(shù)千倍. 這樣, 一旦污染物從表面被清除, 就可以用真空泵來(lái)清除. 減少了返回表面的可能性, 較低的工作壓力也可以在清洗后開(kāi)始形成膜, 從而最大限度地減少了沉積前可能積累的新污染.
根據(jù)沉積過(guò)程和材料的不同, 離子輔助沉積可以進(jìn)一步改善膜的性能.
伯東某鍍膜廠商客戶選用KRI EH1000型霍爾離子源組裝磁控濺射設(shè)備對(duì)鍍膜沉積前預(yù)清洗.
KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
? 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無(wú)需水冷
? 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):
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型號(hào) |
eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 電壓 |
40-300V VDC |
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- 離子源直徑 |
~ 5 cm |
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- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
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電源控制 |
eHx-30010A |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 陽(yáng)極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移動(dòng)或快接法蘭 |
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- 高度 |
4.0' |
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- 直徑 |
5.7' |
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- 加工材料 |
金屬 |
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- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安裝距離 |
10-36” |
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- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
上海伯東是美國(guó) 考夫曼離子源在中國(guó)的總代理商.
上海伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空設(shè)備, 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
