在200mm晶圓時代, 介質、多晶以及金屬刻蝕是刻蝕設備的三大塊. 進入300mm時代以后, 隨著銅互連的發(fā)展, 金屬刻蝕逐漸萎縮, 介質刻蝕份額逐漸加大. 介質刻蝕設備的份額已經超過50%以上. 而且隨著器件互連層數(shù)增多, 介質刻蝕設備使用量就越大.
為了適應工藝發(fā)展需求, 各家設備廠商都推出了一系列的關鍵技術來滿足工藝需求. 主要有以下幾類:
1:雙區(qū)進氣+additional Gas: Additional Gas的目的是通過調節(jié)內外區(qū)敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性, 結果比較明顯.
2:等離子體技術: 等離子體密度和能量單獨控制
3:等離子體約束: 減少Particle, 提高結果重復性
4:工藝組件: 適應不同工藝需求, 對應不同的工藝組件, 比如不同的工藝使用不同的Focus Ring
5: Narrow Gap: 窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層, 中和晶圓上多余的離子, 有利于提高刻蝕剖面陡直度.
6:反應室結構設計；由200mm時的側抽, 改為下抽或者側下抽. 有利于提高氣流均一性.
隨著工藝的發(fā)展需求, 離子源被逐漸用于刻蝕設備，上海伯東代理美國考夫曼 KRI 離子源, 其產品霍爾離子源 EH400 HC 成功應用于離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應多種基材特性, 霍爾源單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 因此美國考夫曼霍爾離子源廣泛應用于蝕刻制程及基板前處理制程.
霍爾離子源客戶案例一: 某大學天文學系小尺寸刻蝕設備
系統(tǒng)功能: 對于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蝕設備: 小型刻蝕設備. 選用上海伯東美國考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC
霍爾離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內
離子源 EH400HC 自動控制單元
霍爾離子源 EH400HC 通氬氣
對于 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec
對于 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 ?/Sec
霍爾離子源 EH400HC 特性:
1. 高離子濃度, 低離子能量
2. 離子束涵蓋面積廣
3. 鍍膜均勻性佳
4. 提高鍍膜品質
5. 模塊化設計, 保養(yǎng)快速方便
6. 增加光學膜后折射率 (Optical index)
7. 全自動控制設計, 操作簡易
8. 低耗材成本, 安裝簡易
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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