離子濺射鍍膜是在部分真空的濺射室中輝光放電, 產生正的氣體離子；在陰極（靶）和陽極（試樣）間電壓的加速作用下, 荷正電的離子轟擊陰極表面, 使陰極表面材料原子化；形成的中性原子, 從各個方向濺出, 射落到試樣的表面, 于是在試樣表面上形成一層均勻的薄膜.
伯東 KRI考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度, 使濺射 (Sputtering) 時靶材 (Target) 被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射 (Sputtering) 工藝條件選擇 RFICP 離子源 (射頻電源式考夫曼離子源) 或是 KDC 離子源 (直流電原式考夫曼離子源).
規(guī)格如下:
RFCIP 離子源 (射頻式考夫曼離子源) : RFICP 40, RFICP 100, RFICP 140, RFICP 220, RFICP 380
KDC 離子源 (直流式考夫曼離子源): KDC10, KDC40, KDC75, KDC100, KDC160.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, Gel-Pak 芯片包裝盒, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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