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KRI 霍爾離子源 eH 3000
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對比, eH 3000 是目前市場上高效, 提供更高離子束流的離子源.
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 3000 特性
? 水冷 - 加速冷卻
? 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時,最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
? 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 3000 技術(shù)參數(shù)
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型號 |
eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 電壓 |
50-250V VDC |
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- 離子源直徑 |
~ 7 cm |
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- 陽極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
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電源控制 |
eHx-25020A |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 陽極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移動或快接法蘭 |
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- 高度 |
4.0' |
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- 直徑 |
5.7' |
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- 加工材料 |
金屬 |
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- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安裝距離 |
16-45” |
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- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架;
KRI 霍爾離子源 eH 3000 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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