華北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助磁控濺射沉積的方法在釹鐵硼磁體表面制備了耐腐蝕性良好的鋁錳合金薄膜.
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):
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型號 |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調(diào)節(jié)鍍膜參數(shù), 得到更加致密, 均勻, 結(jié)合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學(xué)鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環(huán)境保護(hù)的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學(xué)鍍更加綠色環(huán)保.
在釹鐵硼(NdFeB)磁體表面利用磁控濺射沉積不同錳含量的鋁錳合金薄膜. 磁控濺射制備的鋁錳合金薄膜表面光滑致密. 薄膜結(jié)構(gòu)受到錳含量的影響, 當(dāng)薄膜錳含量從6.80at%上升到25.78at%時, 薄膜結(jié)構(gòu)由晶態(tài)逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài), 達(dá)到 35.67%時, 薄膜中析出金屬間化合物Al8Mn5. 鋁錳合金薄膜的耐腐蝕性能受薄膜成分變化的影響很大, 當(dāng)薄膜中錳含量達(dá)到25.78% 時, 此時薄膜呈非晶態(tài)結(jié)構(gòu), 薄膜的自腐蝕電流密度達(dá)到 1.198×10-7A/cm2, 比釹鐵硼基體降低了 2 個數(shù)量級,耐腐蝕性能.
KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中.
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