交叉減薄
交叉減薄的過程利用 TEM 樣品臺的旋轉(zhuǎn)來完成, 如下圖.
TEM 樣品臺模型圖
射頻離子源型號 |
RFICP 380 |
Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
離子束流 |
>1500 mA |
離子動能 |
100-1200 V |
柵極直徑 |
30 cm Φ |
離子束 |
聚焦 |
流量 |
15-50 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
長度 |
39 cm |
直徑 |
59 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
推薦理由:
使用 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 可以準確、靈活地對樣品選定的區(qū)域進行刻蝕、沉積和減薄.
運行結(jié)果:
1. 通過利用 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 和樣品臺交叉減薄得到的薄區(qū)非常均勻, 邊緣整齊. 相比較傳統(tǒng)減薄方法, 交叉減薄避免了樣品在傾斜52°和56°減薄時出現(xiàn)的邊緣收縮問題和遠端薄區(qū)彎曲問題.
2. 對于復(fù)合材料大大降低了位于兩相界面處薄區(qū)的厚度, 提高了樣品質(zhì)量, 提高了制樣的成功率和效率.
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