射頻離子源型號 |
RFICP 380 |
Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
離子束流 |
>1500 mA |
離子動能 |
100-1200 V |
柵極直徑 |
30 cm Φ |
離子束 |
聚焦 |
流量 |
15-50 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
長度 |
39 cm |
直徑 |
59 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
推薦理由:
使用 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380可以準(zhǔn)確、靈活地對樣品選定的區(qū)域進(jìn)行刻蝕、減薄.
工藝簡介:
在碳化硅表面制備微納結(jié)構(gòu)圖形, 然后通過 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 對碳化硅微納結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕, 以調(diào)控結(jié)構(gòu)的線寬和深度.
運(yùn)行結(jié)果:
1. 結(jié)構(gòu)表面粗糙度由約 106nm 降低到 11.8nm
2. 碳化硅線條結(jié)構(gòu)周圍的毛刺基本消失, 線條結(jié)構(gòu)表面的粗糙度得到顯著改善, 降低結(jié)構(gòu)表面的粗糙度實現(xiàn)高平滑度微光學(xué)元件的制備
3. 通過 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 碳化硅菲涅爾波帶片展現(xiàn)出良好的聚焦和成像效果
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