某芯片設計機構研究部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 用于芯片去層.
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Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規(guī)格:
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真空腔 |
1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
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基片尺寸 |
1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
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離子源 |
? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
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離子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
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極限真空 |
≦1x10-4 Pa |
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刻蝕性能 |
一致性: ≤±5% across 4” |
該 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術參數(shù)：
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離子源型號 |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>250 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
7.5 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-15 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
20.1 cm |
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直徑 |
14 cm |
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中和器 |
燈絲 |
無論對于工藝設計, 還是生產控制或者缺陷分析, 去層分析是一種重要手段, 芯片本身多層結構（Passivation, Metal, IDL）可一層一層去除, 也就是芯片去層（Delayer）, 通過層次去除（Delayer）可逐層檢視是否有缺陷, 并可提供后續(xù)實驗, 清楚呈現(xiàn)出每一層電路布線結構.
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